锗衬底晶片
锗单晶片是重要的半导体衬底材料，有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。主要用于地面聚光光伏电站(CPV)、空间太阳能电池板以及超高亮度的LED衬底材料。
鑫科汇可提供低位错或零位错错衬底，规格包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。亦可根据客户需求，定制非标厚度和晶向的Ge衬底。
| 单位 半导体型 规格 | |||||
| 导电类型 | n型 | p型 | |||
| 晶体生长方式 | CZ/VGF | ||||
| 掺杂 | Sb | Ga | |||
| 尺寸 | inch | 2", 3", 4" and 6" | 2", 3",4" and 6" | ||
| 晶向* | （100）±0.5° | (100)±0.5° | |||
| OF/IF | US, EJ US.EJ | ||||
| 电阻率（室温） | ohm.cm | 0.002-40 0.002-0.005 | |||
| 位错密度(EPD) | /cm2 | - ≤300 | |||
| 激光打标 | 按客户要求定制 | ||||
| 成品厚度* | um | （175-500）±25 | |||
| TTV平整度 | μm | ≤15 | ≤15 | ||
| 翘曲度 | um | ≤25 ≤25 | |||
| 主面/背面 | Sidel | 抛光 | 抛光 | ||
| Side2 | 腐蚀/Grinding | 腐蚀/Grinding | |||
| 开盒即用 | 是 | ||||
| 包装 | 单片盒或多片盒 | ||||
售前咨询专员
